金融界2024年10月18日音讯，国家知识产权局信息数据显现，联华电子股份有限公司请求一项名为“半导体元件及其制造的进程”的专利，揭露号 CN 118782608 A，请求日期为2023年4月。
专利摘要显现，本发明揭露一种制造半导体元件的办法，其主要先供给一基底包括一中压区以及一低压区，然后构成一榜首栅极结构于该中压区以及一第二栅极结构于该低压区，构成一图画化掩模于该中压区，其间该图画化掩模掩盖该榜首栅极结构和该第二栅极结构并露出该榜首栅极结构和该第二栅极结构之间的该基底，之后再构成榜首外延层于该榜首栅极结构和该第二栅极结构之间。